RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
104
Por volta de -271% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
15.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3706
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link