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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
104
Por volta de -197% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2575
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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