RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
104
Por volta de -271% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
14.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3402
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link