RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
104
Por volta de -300% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2579
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBZL 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link