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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
104
Por volta de -181% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2813
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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