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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
104
Por volta de -333% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
11.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2484
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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