RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
104
Por volta de -235% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2999
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link