RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
104
Por volta de -235% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3125
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link