RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
104
Por volta de -395% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2994
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link