RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
104
Por volta de -316% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
15.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3774
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Comparações de RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link