RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
104
Por volta de -300% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3417
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link