RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
104
Por volta de -247% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3495
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link