RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
71
104
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
71
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
1757
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link