RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
104
Por volta de -215% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3286
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link