RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
104
Por volta de -285% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2809
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link