RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
104
Por volta de -271% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
16.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3927
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link