RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
104
Por volta de -235% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
6.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
1763
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link