RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
104
Por volta de -259% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
11.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3014
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link