RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
104
Por volta de -206% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2908
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link