RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
16.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
104
Por volta de -285% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
16.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3741
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link