RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
104
Por volta de -352% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2712
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB Comparações de RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link