RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
104
Por volta de -352% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2790
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link