RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
104
Por volta de -352% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
9.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2726
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link