RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
74
Por volta de -236% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3295
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link