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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
74
En -236% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3295
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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