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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
74
左右 -236% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
22
读取速度,GB/s
4,178.4
18.5
写入速度,GB/s
2,201.1
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3295
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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