RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
71
74
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
2,201.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
71
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
1979
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link