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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
71
74
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
71
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
1979
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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