RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
74
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1979
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link