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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
74
Por volta de -196% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
11.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2346
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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