RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
74
Около -196% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2346
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link