RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
74
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
2,201.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
48
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
8.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2196
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link