RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
74
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2196
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link