Porównanie pamięci RAM Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Wynik ogólny

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

48 74

Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.3 2,201.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 6400

Wokół strony 4 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

508 2196

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns