RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
74
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
48
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2196
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link