RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
73
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
10.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2700
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link