RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
73
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2700
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link