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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
73
Por volta de -49% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
49
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
8.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2277
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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