RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
73
Около -49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
49
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
9.8
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2277
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link