RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
73
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
46
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
8.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2368
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link