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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
69
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
13.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3337
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
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Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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