RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
69
Por volta de -176% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
11.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2635
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre 0000 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link