RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
69
Por volta de -165% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
12.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2891
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link