RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
69
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
14.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3373
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link