RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
69
Por volta de -176% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.5
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
17.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3917
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
UMAX Technology 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link