RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
69
Por volta de -245% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
15.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3162
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link