RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
69
Por volta de -138% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
15.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3632
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link