RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
69
Por volta de -146% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
14.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3687
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link