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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston XK2M26-MIE 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston XK2M26-MIE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
69
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.4
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
6.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2297
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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