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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
68
Por volta de -119% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
13.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
3341
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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