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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
68
Por volta de -127% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
3077
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
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